Jumamosi, Aprili 02 2011 18: 39

Maonyesho ya Kioevu cha Kioevu

Kiwango hiki kipengele
(0 kura)

Maonyesho ya kioo ya kioevu (LCDs) yamekuwa yakipatikana kibiashara tangu miaka ya 1970. Kawaida hutumiwa katika saa, vikokotoo, redio na bidhaa zingine zinazohitaji viashiria na herufi tatu au nne za alphanumeric. Maboresho ya hivi karibuni ya vifaa vya kioo kioevu huruhusu maonyesho makubwa kutengenezwa. Ingawa LCD ni sehemu ndogo tu ya tasnia ya semiconductor, umuhimu wao umeongezeka kutokana na matumizi yao katika onyesho la paneli-bapa kwa kompyuta zinazobebeka, kompyuta ndogo nyepesi sana na vichakataji vya maneno vilivyojitolea. Umuhimu wa LCD unatarajiwa kuendelea kukua kwani hatimaye zinachukua nafasi ya mirija ya utupu ya mwisho inayotumika sana katika vifaa vya elektroniki—cathode ray tube (CRT) (O'Mara 1993).

Utengenezaji wa LCD ni mchakato maalumu sana. Matokeo ya ufuatiliaji wa usafi wa viwanda yanaonyesha viwango vya chini sana vya uchafuzi wa hewa kwa mfiduo mbalimbali wa viyeyushi vinavyofuatiliwa (Wade et al. 1981). Kwa ujumla, aina na kiasi cha kemikali zenye sumu, babuzi na zinazoweza kuwaka, kioevu na gesi na mawakala wa kimwili hatari katika matumizi ni mdogo kwa kulinganisha na aina nyingine za utengenezaji wa semiconductor.

Nyenzo za kioo kioevu ni molekuli zinazofanana na fimbo zilizotolewa mfano wa molekuli za cyanobiphenyl zilizoonyeshwa kwenye mchoro 1. Molekuli hizi zinamiliki sifa ya kuzungusha mwelekeo wa nuru ya polarized kupita. Ingawa molekuli ni wazi kwa mwanga unaoonekana, chombo cha kioevu huonekana kama maziwa au uwazi badala ya uwazi. Hii hutokea kwa sababu mhimili mrefu wa molekuli hupangwa kwa pembe za nasibu, hivyo mwanga hutawanyika kwa nasibu. Kiini cha kuonyesha kioo kioevu kinapangwa ili molekuli zifuate mpangilio maalum. Mpangilio huu unaweza kubadilishwa na uwanja wa nje wa umeme, kuruhusu ugawanyiko wa mwanga unaoingia kubadilishwa.

Kielelezo 1. Masi ya msingi ya polymer ya kioo kioevu

MIC030F1

Katika utengenezaji wa maonyesho ya jopo la gorofa, substrates mbili za kioo zinasindika tofauti, kisha zimeunganishwa pamoja. Sehemu ndogo ya mbele imechorwa ili kuunda safu ya kichujio cha rangi. Sehemu ndogo ya glasi ya nyuma imechorwa ili kuunda transistors nyembamba za filamu na mistari ya unganisho ya chuma. Sahani hizi mbili zimeunganishwa katika mchakato wa mkusanyiko na, ikiwa ni lazima, zimekatwa na kugawanywa katika maonyesho ya mtu binafsi. Nyenzo ya kioo kioevu hudungwa katika pengo kati ya sahani mbili za kioo. Maonyesho yanakaguliwa na kupimwa na filamu ya polarizer inatumiwa kwa kila sahani ya kioo.

Michakato mingi ya mtu binafsi inahitajika kutengeneza maonyesho ya paneli za gorofa. Wanahitaji vifaa maalum, vifaa na taratibu. Michakato fulani muhimu imeainishwa hapa chini.

Maandalizi ya Substrate ya Kioo

Sehemu ndogo ya glasi ni sehemu muhimu na ya gharama kubwa ya onyesho. Udhibiti mkali sana wa mali ya macho na mitambo ya nyenzo inahitajika katika kila hatua ya mchakato, hasa wakati inapokanzwa inapohusika.

Utengenezaji wa kioo

Michakato miwili hutumiwa kufanya kioo nyembamba sana na vipimo sahihi sana na sifa za mitambo zinazoweza kuzaa. Mchakato wa muunganisho, uliotayarishwa na Corning, hutumia fimbo ya glasi ya kulisha ambayo huyeyuka kwenye bakuli yenye umbo la kabari na kutiririka juu na juu ya kingo za bwawa. Inatiririka chini pande zote mbili za birika, glasi iliyoyeyuka huungana na kuwa karatasi moja chini ya bakuli na inaweza kuchorwa chini kama karatasi sare. Unene wa karatasi unadhibitiwa na kasi ya kuchora chini ya kioo. Upana wa hadi karibu m 1 unaweza kupatikana.

Wazalishaji wengine wa kioo na vipimo vinavyofaa kwa substrates za LCD hutumia njia ya kuelea ya utengenezaji. Kwa njia hii, glasi iliyoyeyuka inaruhusiwa kutiririka kwenye kitanda cha bati iliyoyeyuka. Kioo hakiyeyuki au kuguswa na bati ya metali, lakini huelea juu ya uso. Hii inaruhusu mvuto kulainisha uso na kuruhusu pande zote mbili ziwe sambamba. (Angalia sura Kioo, keramik na vifaa vinavyohusiana.)

Aina mbalimbali za ukubwa wa substrate zinapatikana hadi 450 × 550 mm na zaidi. Unene wa kawaida wa glasi kwa maonyesho ya paneli ya gorofa ni 1.1 mm. Kioo nyembamba hutumiwa kwa maonyesho madogo, kama vile paja, simu, michezo na kadhalika.

Kukata, bevelling na polishing

Sehemu ndogo za glasi hupunguzwa hadi saizi baada ya kuunganishwa au mchakato wa kuelea, kwa kawaida hadi karibu mita 1 kwa upande. Shughuli mbalimbali za mitambo hufuata mchakato wa kuunda, kulingana na matumizi ya mwisho ya nyenzo.

Kwa kuwa glasi ni brittle na kupasuliwa kwa urahisi au kupasuka kwenye kingo, hizi kwa kawaida hupigwa, kung'olewa au kutibiwa kwa njia nyinginezo ili kupunguza upigaji wakati wa kushika. Mkazo wa joto kwenye nyufa za makali hujilimbikiza wakati wa usindikaji wa substrate na kusababisha kuvunjika. Kuvunjika kwa glasi ni shida kubwa wakati wa uzalishaji. Kando na uwezekano wa kupunguzwa na kukatwa kwa wafanyikazi, inawakilisha upotezaji wa mavuno, na vipande vya glasi vinaweza kubaki kwenye kifaa, na kusababisha uchafuzi wa chembe au mikwaruzo ya substrates zingine.

Kuongezeka kwa saizi ya mkatetaka husababisha kuongezeka kwa ugumu wa kung'arisha glasi. Substrates kubwa huwekwa kwa wabebaji kwa kutumia nta au wambiso mwingine na kung'olewa kwa kutumia tope la nyenzo za abrasive. Utaratibu huu wa kung'arisha lazima ufuatiwe na utakaso kamili wa kemikali ili kuondoa nta iliyobaki au mabaki mengine ya kikaboni, pamoja na uchafu wa metali ulio katika njia ya abrasive au polishing.

Kusafisha

Michakato ya kusafisha hutumiwa kwa substrates za kioo tupu na kwa substrates zilizofunikwa na filamu za kikaboni, kama vile vichungi vya rangi, filamu za mwelekeo wa polyimide na kadhalika. Pia, substrates na semiconductor, insulator na filamu za chuma zinahitaji kusafisha katika pointi fulani ndani ya mchakato wa utengenezaji. Kwa kiwango cha chini, kusafisha kunahitajika kabla ya kila hatua ya masking katika chujio cha rangi au utengenezaji wa filamu nyembamba ya transistor.

Usafishaji mwingi wa paneli tambarare hutumia mchanganyiko wa mbinu za kimwili na kemikali, kwa kuchagua mbinu kavu. Baada ya kuchomwa kwa kemikali au kusafisha, substrates kawaida hukaushwa kwa kutumia pombe ya isopropyl. (Angalia jedwali 1.)

Jedwali 1. Kusafisha kwa maonyesho ya paneli ya gorofa

Kusafisha kimwili

Kusafisha kavu

Kusafisha kwa kemikali

Kusugua kwa mswaki

Ozoni ya ultraviolet

Kimumunyisho kikaboni*

Dawa ya ndege

Plasma (oksidi)

Sabuni isiyo na upande

Ultrasonic

Plasma (isiyo ya oksidi)

  

Megasonic

Laser

Maji safi

* Vimumunyisho vya kawaida vya kikaboni vinavyotumika katika kusafisha kemikali ni pamoja na: asetoni, methanoli, ethanol, n-propanol, isoma zaxy, trikloroethilini, tetrakloroethilini.

Uundaji wa Kichujio cha Rangi

Uundaji wa kichujio cha rangi kwenye sehemu ndogo ya glasi ya mbele hujumuisha baadhi ya hatua za ukamilishaji na utayarishaji wa glasi zinazofanana na paneli za mbele na za nyuma, ikiwa ni pamoja na michakato ya kukunja na kukunja. Uendeshaji kama vile upangaji, upakaji na uponyaji hufanywa mara kwa mara kwenye substrate. Kuna vidokezo vingi vya kufanana na usindikaji wa kaki ya silicon. Sehemu ndogo za glasi kwa kawaida hushughulikiwa katika mifumo ya nyimbo za kusafisha na kupaka.

Uundaji wa kichujio cha rangi

Nyenzo mbalimbali na mbinu za matumizi hutumiwa kuunda vichujio vya rangi kwa aina mbalimbali za maonyesho ya paneli bapa. Ama rangi au rangi inaweza kutumika, na moja inaweza kuwekwa na kupangwa kwa njia kadhaa. Katika mbinu moja, gelatin huwekwa na kutiwa rangi katika shughuli za upigaji picha zinazofuatana, kwa kutumia vifaa vya uchapishaji vya ukaribu na wapiga picha wa kawaida. Katika nyingine, rangi za rangi zilizotawanywa katika photoresist zinaajiriwa. Njia zingine za kuunda vichungi vya rangi ni pamoja na uwekaji umeme, etching na uchapishaji.

Uwekaji wa ITO

Baada ya kuundwa kwa chujio cha rangi, hatua ya mwisho ni uwekaji wa sputter wa nyenzo za uwazi za electrode. Hii ni indium-tin oxide (ITO), ambayo kwa kweli ni mchanganyiko wa oksidi za In2O3 na SnO2. Nyenzo hii ndiyo pekee inayofaa kwa ombi la uwazi la kondakta kwa LCD. Filamu nyembamba ya ITO inahitajika pande zote mbili za onyesho. Kwa kawaida, filamu za ITO zinatengenezwa kwa kutumia uvukizi wa utupu na sputtering.

Filamu nyembamba za ITO ni rahisi kuunganika zikiwa na kemikali zenye unyevunyevu kama vile asidi hidrokloriki, lakini, kadiri mwinuko wa elektrodi unavyozidi kuwa mdogo na vipengele vinakuwa vyema zaidi, mchoro mkavu unaweza kuwa muhimu ili kuzuia ukataji wa mistari kwa sababu ya kupindukia.

Uundaji wa Transistor ya Filamu Nyembamba

Uundaji wa transistor ya filamu nyembamba ni sawa na utengenezaji wa mzunguko jumuishi.

Uwekaji wa filamu nyembamba

Substrates huanza mchakato wa utengenezaji na hatua ya uombaji wa filamu nyembamba. Filamu nyembamba huwekwa na CVD au uwekaji wa mvuke halisi (PVD). CVD iliyoimarishwa kwa Plasma, pia inajulikana kama kutokwa kwa mwanga, hutumiwa kwa silicon ya amofasi, nitridi ya silicon na dioksidi ya silicon.

Mchoro wa kifaa

Mara baada ya filamu nyembamba kuwekwa, photoresist inatumiwa na kupigwa picha ili kuruhusu etching ya filamu nyembamba kwa vipimo vinavyofaa. Mlolongo wa filamu nyembamba huwekwa na kuwekwa, kama ilivyo kwa utengenezaji wa mzunguko uliounganishwa.

Maombi ya Filamu ya Mwelekeo na Kusugua

Kwenye sehemu ndogo ya juu na ya chini, filamu nyembamba ya polima huwekwa kwa ajili ya kuelekeza molekuli za kioo kioevu kwenye uso wa glasi. Filamu hii ya mwelekeo, labda 0.1 μm nene, inaweza kuwa polyimide au nyenzo nyingine "ngumu" ya polima. Baada ya utuaji na kuoka, husuguliwa na kitambaa kwa mwelekeo maalum, na kuacha grooves isiyoweza kutambulika kwenye uso. Kusugua kunaweza kufanywa kwa kitambaa mara moja kwenye ukanda, kulishwa kutoka kwa roller upande mmoja, kupita chini ya roller ambayo huwasiliana na substrate, kwenye roller upande mwingine. Substrate husogea chini ya kitambaa kwa mwelekeo sawa na kitambaa. Mbinu zingine ni pamoja na brashi ya kusafiri inayosogea kwenye substrate. Nap ya nyenzo za kusugua ni muhimu. Miundo hutumika kusaidia molekuli za kioo kioevu kujipanga kwenye uso wa mkatetaka na kuchukua pembe inayofaa ya kuinamisha.

Filamu ya mwelekeo inaweza kuwekwa na mipako ya spin au kwa uchapishaji. Njia ya uchapishaji ni bora zaidi katika matumizi ya nyenzo; 70 hadi 80% ya polyimide huhamishwa kutoka kwa roll ya uchapishaji hadi kwenye uso wa substrate.

Bunge

Mara tu hatua ya kusugua substrate imekamilika, mlolongo wa mstari wa kusanyiko wa kiotomatiki unaanza, ambao una:

  • maombi ya wambiso (inahitajika kwa kuziba paneli)
  • maombi ya spacer
  • eneo na usawa wa macho wa sahani moja kwa heshima na nyingine
  • mfiduo (joto au UV) ili kutibu kiambatisho na kuunganisha sahani mbili za glasi pamoja.

 

Usafiri wa moja kwa moja wa sahani zote za juu na za chini hutokea kwa njia ya mstari. Sahani moja hupokea wambiso, na sahani ya pili huletwa kwenye kituo cha mwombaji wa spacer.

Sindano ya Kioo cha Kioevu

Katika kesi ambapo maonyesho zaidi ya moja yamejengwa kwenye substrate, maonyesho sasa yanatenganishwa na kukatwa. Katika hatua hii, nyenzo za kioo kioevu zinaweza kuletwa kwenye pengo kati ya substrates, kwa kutumia shimo lililoachwa kwenye nyenzo za muhuri. Shimo hili la kuingilia kisha hufungwa na kutayarishwa kwa ukaguzi wa mwisho. Nyenzo za fuwele za kioevu mara nyingi hutolewa kama mifumo ya sehemu mbili au tatu ambazo huchanganywa wakati wa sindano. Mifumo ya sindano hutoa kuchanganya na kusafisha seli ili kuepuka kunasa Bubbles wakati wa mchakato wa kujaza.

Ukaguzi na Mtihani

Ukaguzi na upimaji wa kazi unafanywa baada ya kusanyiko na sindano ya kioo kioevu. Kasoro nyingi zinahusiana na chembe (ikiwa ni pamoja na kasoro za pointi na mstari) na matatizo ya pengo la seli.

Kiambatisho cha Polarizer

Hatua ya mwisho ya utengenezaji wa onyesho la kioo kioevu yenyewe ni uwekaji wa polarizer kwa nje ya kila sahani ya glasi. Filamu za polarizer ni filamu za mchanganyiko ambazo zina safu ya wambiso inayohimili shinikizo inayohitajika ili kuunganisha polarizer kwenye kioo. Zinatumika na mashine za kiotomatiki ambazo hutoa nyenzo kutoka kwa safu au karatasi zilizokatwa kabla. Mashine hizo ni lahaja za mashine za kuweka lebo zilizotengenezwa kwa ajili ya viwanda vingine. Filamu ya polarizing imeunganishwa kwa pande zote mbili za maonyesho.

Katika baadhi ya matukio, filamu ya fidia inatumiwa kabla ya polarizer. Filamu za fidia ni filamu za polima (kwa mfano, polycarbonate na polymethyl methacrylate) ambazo zimenyoshwa katika mwelekeo mmoja. Kunyoosha huku kunabadilisha mali ya macho ya filamu.

Onyesho lililokamilishwa kwa kawaida litakuwa na mizunguko iliyounganishwa ya kiendeshi kupachikwa kwenye au karibu na mojawapo ya substrates za kioo, kwa kawaida upande wa filamu nyembamba ya transistor.

Hatari

Kuvunjika kwa glasi ni hatari kubwa katika utengenezaji wa LCD. Kukata na kupasuka kunaweza kutokea. Mfiduo wa kemikali zinazotumiwa kusafisha ni jambo lingine linalosumbua.

 

Back

Kusoma 7669 mara Ilibadilishwa mwisho Jumatatu, 05 Septemba 2011 14:54
Kuchapishwa katika 83. Microelectronics na Semiconductors
Zaidi katika jamii hii: « Utengenezaji wa Semiconductor ya Silicon Utengenezaji wa Semiconductor ya III-V »
rudi juu

" KANUSHO: ILO haiwajibikii maudhui yanayowasilishwa kwenye tovuti hii ya tovuti ambayo yanawasilishwa kwa lugha yoyote isipokuwa Kiingereza, ambayo ndiyo lugha inayotumika katika utayarishaji wa awali na ukaguzi wa wenza wa maudhui asili. Takwimu fulani hazijasasishwa tangu wakati huo. utayarishaji wa toleo la 4 la Encyclopaedia (1998).

Yaliyomo

Marejeleo ya Microelectronics na Semiconductors

Mkutano wa Marekani wa Wataalamu wa Usafi wa Viwanda wa Kiserikali (ACGIH). 1989. Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor. Chelsea, MI: Lewis Publishers.

-. 1993. Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor II. Cincinnati, OH: ACGIH.

-. 1994. Nyaraka za Thamani ya Kikomo cha Kizingiti, Bidhaa za Kutengana kwa Joto la Rosin Core Solder, kama Resin Acids-Colophony. Cincinnati, OH: ACGIH.

Taasisi ya Kitaifa ya Viwango ya Marekani (ANSI). 1986. Kiwango cha Usalama kwa Roboti za Viwanda na Mifumo ya Roboti ya Viwanda. ANSI/RIA R15.06-1986. New York: ANSI.

ASKMAR. 1990. Sekta ya Kompyuta: Mwenendo Muhimu kwa miaka ya 1990. Saratoga, CA: Machapisho ya Mwenendo wa Kielektroniki.

Asom, MT, J Mosovsky, RE Leibenguth, JL Zilko, na G Cadet. 1991. Uzalishaji wa arsine wa muda mfupi wakati wa ufunguzi wa vyumba vya MBE vya chanzo imara. J Cryst Growth 112(2-3):597–599.

Muungano wa Viwanda vya Elektroniki, Mawasiliano ya Simu na Vifaa vya Biashara (EEA). 1991. Miongozo ya Matumizi ya Colophony (Rosin) Solder Fluxes katika Sekta ya Elektroniki. London: Leichester House EEA.

Baldwin, DG. 1985. Mfiduo wa kemikali kutoka kwa miale ya alumini ya plasma ya tetrakloridi ya kaboni. Muhtasari Uliopanuliwa, Electrochem Soc 85(2):449–450.

Baldwin, DG na JH Stewart. 1989. Hatari za kemikali na mionzi katika utengenezaji wa semiconductor. Teknolojia ya Hali Imara 32(8):131–135.

Baldwin, DG na ME Williams. 1996. Usafi wa viwanda. Katika Kitabu cha Usalama cha Semiconductor, kilichohaririwa na JD Bolmen. Park Ridge, NJ: Noyes.

Baldwin, DG, BW King, na LP Scarpace. 1988. Vipandikizi vya ioni: Usalama wa kemikali na mionzi. Teknolojia ya Hali Imara 31(1):99–105.

Baldwin, DG, JR Rubin, na MR Horowitz. 1993. Maonyesho ya usafi wa viwanda katika utengenezaji wa semiconductor. Jarida la SSA 7(1):19–21.

Bauer, S, I Wolff, N Werner, na P Hoffman. 1992a. Hatari za kiafya katika tasnia ya semiconductor, hakiki. Pol J Occup Med 5(4):299–314.

Bauer, S, N Werner, I Wolff, B Damme, B Oemus, na P Hoffman. 1992b. Uchunguzi wa sumu katika tasnia ya semiconductor: II. Utafiti juu ya sumu ya kuvuta pumzi kidogo na sumu ya genotoxic ya bidhaa za taka za gesi kutoka kwa mchakato wa kuunganisha plasma ya alumini. Toxicol Ind Health 8(6):431–444.

Bliss Industries. 1996. Solder Dross Particulate Capture System Literature. Fremont, CA: Bliss Industries.

Ofisi ya Takwimu za Kazi (BLS). 1993. Utafiti wa Mwaka wa Majeraha na Magonjwa ya Kazini. Washington, DC: BLS, Idara ya Kazi ya Marekani.

-. 1995. Ajira na Mishahara Wastani wa Mwaka, 1994. Bulletin. 2467. Washington, DC: BLS, Idara ya Kazi ya Marekani.

Clark, RH. 1985. Handbook of Printed Circuit Manufacturing. New York: Kampuni ya Van Nostrand Reinhold.

Cohen, R. 1986. Mionzi ya radiofrequency na microwave katika sekta ya microelectronics. Katika Hali ya Mapitio ya Kisanaa—Tiba ya Kazini: The Microelectronics Industry, iliyohaririwa na J LaDou. Philadelphia, PA: Hanley & Belfus, Inc.

Coombs, CF. 1988. Kitabu cha Mwongozo cha Mizunguko Chapa, toleo la 3. New York: McGraw-Hill Book Company.

Maudhui, RM. 1989. Mbinu za udhibiti wa chuma na metalloids katika vifaa vya III-V epitaxy ya awamu ya mvuke. Katika Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor, iliyohaririwa na Mkutano wa Marekani wa Wataalamu wa Usafi wa Viwanda wa Kiserikali. Chelsea, MI: Lewis Publishers.

Correa A, RH Gray, R Cohen, N Rothman, F Shah, H Seacat, na M Corn. 1996. Etha za ethylene glikoli na hatari za uavyaji mimba papo hapo na kutozaa. Am J Epidemiol 143(7):707–717.

Crawford, WW, D Green, WR Knolle, HM Marcos, JA Mosovsky, RC Petersen, PA Testagrossa, na GH Zeman. 1993. Mfiduo wa shamba la sumaku katika vyumba vya kusafisha vya semiconductor. Katika Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor II. Cincinnati, OH: ACGIH.

Escher, G, J Weathers, na B Labonville. 1993. Mazingatio ya muundo wa usalama katika upigaji picha wa laser ya kina-UV. Katika Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor II. Cincinnati, OH: Mkutano wa Marekani wa Wataalamu wa Usafi wa Viwanda wa Kiserikali.

Eskenazi B, EB Gold, B Lasley, SJ Samuels, SK Hammond, S Wright, MO Razor, CJ Hines, na MB Schenker. 1995. Ufuatiliaji unaotarajiwa wa upotezaji wa mapema wa fetasi na uavyaji mimba wa moja kwa moja kati ya wafanyikazi wa kike wa semiconductor. Am J Indust Med 28(6):833–846.

Flipp, N, H Hunsaker, na P Herring. 1992. Uchunguzi wa uzalishaji wa hidridi wakati wa matengenezo ya vifaa vya kupandikiza ioni. Iliwasilishwa katika Mkutano wa Usafi wa Viwanda wa Marekani wa Juni 1992, Boston—Karatasi 379 (haijachapishwa).

Goh, CL na SK Ng. 1987. Dermatitis ya mawasiliano ya hewa hadi kolofoni katika flux ya soldering. Wasiliana na Ugonjwa wa Ngozi 17(2):89–93.

Hammond SK, CJ Hines MF Hallock, SR Woskie, S Abdollahzadeh, CR Iden, E Anson, F Ramsey, na MB Schenker. 1995. Mkakati wa tathmini ya mfiduo wa viwango katika Utafiti wa Afya wa Semiconductor. Am J Indust Med 28(6):661–680.

Harrison, RJ. 1986. Gallium arsenide. Ukaguzi wa Hali ya Kisanaa—Tiba ya Kazini: The Microelectronics Industry, iliyohaririwa na J LaDou Philadelphia, PA: Hanley & Belfus, Inc.

Hathaway, GL, NH Proctor, JP Hughes, na ML Fischman. 1991. Hatari za Kemikali Mahali pa Kazi, toleo la 3. New York: Van Nostrand Reinhold.

Hausen, BM, K Krohn, na E Budianto. 1990. Mzio wa mawasiliano kutokana na koloni (VII). Masomo ya kuhamasisha na bidhaa za oksidi za asidi abietic na asidi zinazohusiana. Wasiliana na Dermat 23(5):352–358.

Tume ya Afya na Usalama. 1992. Kanuni ya Mazoezi Iliyoidhinishwa-Udhibiti wa Vihisishi vya Kupumua. London: Mtendaji wa Afya na Usalama.

Helb, GK, RE Caffrey, ET Eckroth, QT Jarrett, CL Fraust, na JA Fulton. 1983. Usindikaji wa Plasma: Baadhi ya masuala ya usalama, afya na uhandisi. Teknolojia ya Hali Imara 24(8):185–194.

Hines, CJ, S Selvin, SJ Samuels, SK Hammond, SR Woskie, MF Hallock, na MB Schenker. 1995. Uchambuzi wa nguzo za kihierarkia kwa tathmini ya mfiduo wa wafanyikazi katika Utafiti wa Afya wa Semiconductor. Am J Indust Med 28(6):713–722.

Horowitz, Bw. 1992. Masuala ya mionzi ya Nonionizing katika kituo cha R na D cha semiconductor. Iliwasilishwa katika Mkutano wa Usafi wa Viwanda wa Marekani wa Juni 1992, Boston—Karatasi 122 (haijachapishwa).

Jones, JH. 1988. Tathmini ya mfiduo na udhibiti wa utengenezaji wa semiconductor. AIP Conf. Proc. (Photovoltaic Safety) 166:44–53.

LaDou, J (mh.). 1986. Mapitio ya Hali ya Sanaa-Tiba ya Kazini: Sekta ya Microelectronics. Philadelphia, PA: Hanley and Belfus, Inc.

Lassiter, DV. 1996. Ufuatiliaji wa jeraha la kazi na ugonjwa kwa misingi ya kimataifa. Mijadala ya Kongamano la Tatu la Kimataifa la ESH, Monterey, CA.

Leach-Marshall, JM. 1991. Uchambuzi wa mionzi iliyogunduliwa kutoka kwa vipengele vya mchakato wazi kutoka kwa mfumo wa kupima uvujaji mzuri wa krypton-85. Jarida la SSA 5(2):48–60.

Chama cha Viwanda vya Kuongoza. 1990. Usalama katika Kuuza, Miongozo ya Afya kwa Solders na Soldering. New York: Lead Industries Association, Inc.

Lenihan, KL, JK Sheehy, na JH Jones. 1989. Tathmini ya mfiduo katika usindikaji wa arsenidi ya gallium: Uchunguzi kifani. Katika Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor, iliyohaririwa na Mkutano wa Marekani wa Wataalamu wa Usafi wa Viwanda wa Kiserikali. Chelsea, MI: Lewis Publishers.

Maletskos, CJ na PR Hanley. 1983. Mazingatio ya ulinzi wa mionzi ya mifumo ya upandikizaji wa ioni. IEEE Trans kwenye Sayansi ya Nyuklia NS-30:1592–1596.

McCarthy, CM. 1985. Mfiduo wa Mfanyakazi wakati wa Matengenezo ya Vipandikizi vya Ion katika Sekta ya Semiconductor. Tasnifu ya Uzamili, Chuo Kikuu cha Utah, Salt Lake City, UT, 1984. Imefupishwa katika Muhtasari Uliopanuliwa, Electrochem Soc 85(2):448.

McCurdy SA, C Pocekay, KS Hammond, SR Woskie, SJ Samuels, na MB Schenker. 1995. Uchunguzi wa sehemu mbalimbali wa matokeo ya kupumua na afya ya jumla kati ya wafanyakazi wa sekta ya semiconductor. Am J Indust Med 28(6):847–860.

McIntyre, AJ na BJ Sherin. 1989. Gallium arsenide: hatari, tathmini, na udhibiti. Teknolojia ya Hali Imara 32(9):119–126.

Shirika la Teknolojia ya Mikroelectronics na Kompyuta (MCC). 1994. Ramani ya Mazingira ya Sekta ya Elektroniki. Austin, TX: MCC.

-. 1996. Ramani ya Mazingira ya Sekta ya Elektroniki. Austin, TX: MCC.

Mosovsky, JA, D Rainer, T Moses na WE Quinn. 1992. Uzalishaji wa hidridi wa muda mfupi wakati wa usindikaji wa III-semiconductor. Appl Occup Environ Hyg 7(6):375–384.

Mueller, MR na RF Kunesh. 1989. Athari za usalama na kiafya za miale ya kemikali kavu. Katika Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor, iliyohaririwa na Mkutano wa Marekani wa Wataalamu wa Usafi wa Viwanda wa Kiserikali. Chelsea, MI: Lewis Publishers.

O'Mara, WC. 1993. Maonyesho ya Jopo la Flat la Kioevu la Kioevu. New York: Van Nostrand Reinhold.

PACE Inc. 1994. Kijitabu cha Uchimbaji wa Fume. Laurel, MD: PACE Inc.

Pastides, H, EJ Calabrese, DW Hosmer, Jr, na DR Harris. 1988. Utoaji mimba wa pekee na dalili za ugonjwa wa jumla kati ya wazalishaji wa semiconductor. J Kazi Med 30:543–551.

Pocekay D, SA McCurdy, SJ Samuels, na MB Schenker. 1995. Utafiti wa sehemu ya msalaba wa dalili za musculoskeletal na sababu za hatari katika wafanyakazi wa semiconductor. Am J Indust Med 28(6):861–871.

Rainer, D, WE Quinn, JA Mosovsky, na MT Asom. 1993. III-V kizazi cha muda mfupi cha hidridi, Teknolojia ya Hali Imara 36 (6): 35–40.

Rhoades, BJ, DG Sands, na VD Mattera. 1989. Mifumo ya udhibiti wa usalama na mazingira inayotumika katika vitendanishi vya uwekaji wa mvuke wa kemikali (CVD) katika AT&T-Microelectronics-Reading. Appl Ind Hyg 4(5):105–109.

Rogers, JW. 1994. Usalama wa mionzi katika semiconductors. Iliwasilishwa katika Mkutano wa Aprili 1994 wa Chama cha Usalama wa Semiconductor, Scottsdale, AZ (haijachapishwa).

Rooney, FP na J Leavey. 1989. Mazingatio ya usalama na afya ya chanzo cha x-ray lithografia. Katika Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor, iliyohaririwa na Mkutano wa Marekani wa Wataalamu wa Usafi wa Viwanda wa Kiserikali. Chelsea, MI: Lewis Publishers.

Rosenthal, FS na S Abdollahzadeh. 1991. Tathmini ya maeneo ya chini sana ya mzunguko (ELF) ya umeme na magnetic katika vyumba vya utengenezaji wa microelectronics. Appl Occup Environ Hyg 6(9):777–784.

Roychowdhury, M. 1991. Usalama, usafi wa mazingira viwandani, na masuala ya mazingira kwa mifumo ya kite ya MOCVD. Teknolojia ya Hali Imara 34(1):36–38.

Scarpace, L, M Williams, D Baldwin, J Stewart, na D Lassiter. 1989. Matokeo ya sampuli za usafi wa viwanda katika shughuli za utengenezaji wa semiconductor. Katika Tathmini ya Hatari na Teknolojia ya Kudhibiti katika Utengenezaji wa Semiconductor, iliyohaririwa na Mkutano wa Marekani wa Wataalamu wa Usafi wa Viwanda wa Kiserikali. Chelsea, MI: Lewis Publishers.

Schenker MB, EB Gold, JJ Beaumont, B Eskenazi, SK Hammond, BL Lasley, SA McCurdy, SJ Samuels, CL Saiki, na SH Swan. 1995. Ushirikiano wa utoaji mimba wa pekee na madhara mengine ya uzazi na kazi katika sekta ya semiconductor. Am J Indust Med 28(6):639–659.

Schenker, M, J Beaumont, B Eskenazi, E Gold, K Hammond, B Lasley, S McCurdy, S Samuels, na S Swan. 1992. Ripoti ya Mwisho kwa Chama cha Semiconductor Industry Association-Epidemiologic Study of Reproductive Reproductive and Other Health miongoni mwa Wafanyakazi Walioajiriwa katika Utengenezaji wa Semiconductors. Davis, CA: Chuo Kikuu cha California.

Schmidt, R, H Scheufler, S Bauer, L Wolff, M Pelzing, na R Herzschuh. 1995. Uchunguzi wa sumu katika tasnia ya semiconductor: III: Uchunguzi juu ya sumu kabla ya kuzaa inayosababishwa na bidhaa za taka kutoka kwa michakato ya kuchota plasma ya alumini. Toxicol Ind Health 11(1):49–61.

SEMATECH. 1995. Hati ya Uhamisho wa Usalama wa Silane, 96013067 A-ENG. Austin, TX: SEMATECH.

-. 1996. Mwongozo wa Kutafsiri kwa SEMI S2-93 na SEMI S8-95. Austin, TX: SEMATECH.

Chama cha Semiconductor Semiconductor (SIA). 1995. Data ya Utabiri wa Mauzo ya Semiconductor Duniani. San Jose, CA: SIA.

Sheehy, JW na JH Jones. 1993. Tathmini ya mfiduo na udhibiti wa arseniki katika uzalishaji wa arsenidi ya gallium. Am Ind Hyg Assoc J 54(2):61–69.

Msikivu, DJ. 1995. Kuchagua Laminates Kwa Kutumia Vigezo vya "Fitness for Use", Surface Mount Technology (SMT). Libertyville, IL: Kikundi cha Uchapishaji cha IHS.

Wade, R, M Williams, T Mitchell, J Wong, na B Tusé. 1981. Utafiti wa sekta ya semiconductor. San Francisco, CA: Idara ya California ya Mahusiano ya Viwanda, Kitengo cha Usalama na Afya Kazini.